4月6日,Nature Photonics在線刊發(fā)了華中科技大學(xué)光電信息學(xué)院唐江教授課題組題為《Efficient all-thermally evaporated perovskite light-emittingdiodes for active-matrix displays》的研究論文。該工作是唐江教授團(tuán)隊(duì)與武漢華星光電技術(shù)有限公司合作,制備出一種適配TFT驅(qū)動(dòng)電路的高效鈣鈦礦發(fā)光二極管,實(shí)現(xiàn)了清晰度可比擬商用OLED產(chǎn)品、分辨率為1080×2400的顯示圖像動(dòng)畫,為全球首款有源驅(qū)動(dòng)的鈣鈦礦單色顯示面板。論文第一作者為李京徽、杜培培、郭慶勛和孫亮,通訊作者為羅家俊副教授和唐江教授。論文第一單位為華中科技大學(xué)。
有源驅(qū)動(dòng)的發(fā)光二極管是當(dāng)今顯示技術(shù)的重要元器件,在商業(yè)電子、醫(yī)療影像、教育科研等人機(jī)交互領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,具有千億級(jí)的市場(chǎng)規(guī)?!,F(xiàn)在商用OLED顯示技術(shù)的色純度較低,同時(shí)核心專利技術(shù)被歐美、日韓國(guó)家卡脖子;另外傳統(tǒng)Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體制備的Micro-LED顯示技術(shù)依賴于高溫工藝及外延襯底,無(wú)法直接與硅基電路集成,存在良率低、成本高等核心難題。近年來(lái),鹵素鈣鈦礦發(fā)光二極管(PeLED)因其易調(diào)諧的發(fā)光帶隙(覆蓋可見光)、優(yōu)異的色純度(發(fā)光線寬<20 nm)、較低的材料成本以及可常溫制備等特性受到廣泛關(guān)注。尤其鈣鈦礦綠光材料,其色坐標(biāo)接近國(guó)際電信聯(lián)盟Rec. 2020綠光標(biāo)準(zhǔn)(0.170,0.797),相比于傳統(tǒng)的OLED技術(shù)可以顯著提升色域范圍,從而提升顯示面板的色彩質(zhì)量。此外,PeLED的外量子效率(EQE)已接近30%,與商用OLED顯示技術(shù)相媲美,這極大激發(fā)了人們將其推向顯示產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的興趣。
但是目前高效PeLED主要依賴于溶液法制備,難以實(shí)現(xiàn)大面積像素化,不易進(jìn)一步與薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管(TFT)驅(qū)動(dòng)電路結(jié)合以實(shí)現(xiàn)顯示面板的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。因此,PeLED的制備技術(shù)需要新的突破,以滿足其在產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用上的迫切需求。
唐江教授團(tuán)隊(duì)采用熱蒸發(fā)技術(shù)(半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中廣泛運(yùn)用)制備PeLEDs器件,可借鑒OLED顯示產(chǎn)業(yè)中的成熟技術(shù)與經(jīng)驗(yàn),實(shí)現(xiàn)規(guī)模化產(chǎn)業(yè)應(yīng)用。針對(duì)熱蒸發(fā)PeLEDs面臨的長(zhǎng)期問(wèn)題——發(fā)光效率低,通過(guò)三源熱蒸發(fā)技術(shù)將TPPO配體材料引入CsPbBr3的原位結(jié)晶過(guò)程中,TPPO配體在對(duì)載流子限域和晶體缺陷鈍化的同時(shí),減緩了晶體生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)過(guò)程,促使原位生成高質(zhì)量結(jié)晶的CsPbBr3-TPPO納米晶薄膜,PLQY接近80%(圖1)。基于CsPbBr3-TPPO納米晶薄膜,團(tuán)隊(duì)構(gòu)筑了首個(gè)全熱蒸發(fā)器件結(jié)構(gòu)的PeLEDs,與現(xiàn)有OLED生產(chǎn)線兼容,制備的器件峰值EQE達(dá)到16.4%,較之前熱蒸發(fā)PeLEDs所報(bào)道的最高效率提升近一倍。
通過(guò)將頂發(fā)射PeLEDs集成到6.67英寸的TFT背板上,團(tuán)隊(duì)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了全球首款有源驅(qū)動(dòng)的鈣鈦礦單色顯示面板,圖2展示了顯示分辨率為1080×2400的高清圖像和視頻以及連續(xù)的灰度信息。以上充分證明了熱蒸發(fā)PeLED技術(shù)是一條滿足鈣鈦礦顯示面板批量化、大面積、像素化生產(chǎn)的可行路徑,并兼容現(xiàn)有的OLED產(chǎn)線和設(shè)備,有望直接推進(jìn)鈣鈦礦在顯示領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。
圖1.熱蒸發(fā)CsPbBr3的配體鈍化策略。(a)三源熱蒸發(fā)示意圖。
(b-c)熱蒸發(fā)CsPbBr3和CsPbBr3-TPPO的結(jié)晶過(guò)程對(duì)比示意圖。
(d-e)熱蒸發(fā)CsPbBr3和CsPbBr3-TPPO薄膜的SEM表面形貌以及晶體尺寸分布,
其中CsPbBr3-TPPO薄膜晶粒尺寸更小且分布均勻。
(f)熱蒸發(fā)CsPbBr3和CsPbBr3-TPPO薄膜的熒光光譜圖。
圖2. 熱蒸發(fā)PeLED單色顯示面板應(yīng)用。(a) 顯示面板結(jié)構(gòu)的示意圖。
(b) 顯示面板截面的示意圖。(c) 顯示面板像素坑的截面SEM圖。
(d) AMPeLED顯示面板及其工作圖像。(e) 顯示面板靜態(tài)顯示圖像。
(f) 顯示面板視頻截圖,展示出豐富的灰階信息。
(g) 顯示面板的微觀像素圖像,相鄰之間的像素發(fā)光均勻。
該研究工作得到了武漢華星光電技術(shù)有限公司在驅(qū)動(dòng)電路方面的大力支持,以及華中科技大學(xué)分析測(cè)試中心和武漢精測(cè)電子有限公司的設(shè)施支持。該工作獲得了國(guó)家自然科學(xué)基金、湖北光谷實(shí)驗(yàn)室、湖北省創(chuàng)新研究群體基金、華星光電產(chǎn)學(xué)研項(xiàng)目和博士后創(chuàng)新人才支持計(jì)劃的資助。
論文鏈接:https://www.nature.com/articles/s41566-023-01177-1
新聞鏈接:http://news.hust.edu.cn/info/1002/48241.htm
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