姜友松,1965年生,博士,現(xiàn)任合肥晞隆光電有限公司總經(jīng)理。
1993年赴日本電氣通信大學(xué)留學(xué),2001年獲工學(xué)博士學(xué)位。同年任電氣通信大學(xué)助教。從事高溫超傳導(dǎo)電子器件開(kāi)發(fā)研究,通過(guò)優(yōu)化真空鍍膜工藝實(shí)現(xiàn)優(yōu)質(zhì)高溫超傳導(dǎo)薄膜,并運(yùn)用半導(dǎo)體集成技術(shù)成功開(kāi)發(fā)出超傳導(dǎo)隧道效應(yīng)電子器件。2002年進(jìn)入株式會(huì)社SHINCRON研發(fā)中心,從事光學(xué)薄膜工藝及設(shè)備技術(shù)開(kāi)發(fā),并任研發(fā)部理事。先后參與主持濺射設(shè)備RAS和離子輔助真空蒸鍍?cè)O(shè)備EPD的研制及其鍍膜工藝開(kāi)發(fā)。2003年起與中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)合作,共同研發(fā)全自動(dòng)光學(xué)膜后控制技術(shù)及固體氧化物電解質(zhì)燃料電池系統(tǒng)。在國(guó)內(nèi)有20余項(xiàng)國(guó)內(nèi)技術(shù)專(zhuān)利,同時(shí)在香港、臺(tái)灣、日本、歐洲、美國(guó)、韓國(guó)等地有60余項(xiàng)國(guó)際技術(shù)專(zhuān)利。并且參與編寫(xiě)并出版《光學(xué)薄膜技術(shù)》和《光學(xué)薄膜の最適設(shè)計(jì)?成膜技術(shù)と膜厚?膜質(zhì)?光學(xué)特性の制御》。
主要研究領(lǐng)域:1、超導(dǎo)體薄膜及光學(xué)薄膜材料,設(shè)計(jì),鍍膜工藝; 2、真空技術(shù),真空設(shè)備; 3、新能源技術(shù) 。